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詳細介紹
半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀
半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀
檢測限LLD(E10原子/cm2) | 鋁 | 鐵 | 鎳 | 銅 |
發(fā)射光譜 | 14 | 0.06 | 0.06 | 0.09 |
VPD-TXRF | 0.1 | 0.001 | 0.001 | 0.002 |
測量時間:1000秒
方法 | 帶氣相分解 (VPD) 的全內(nèi)反射 X 射線熒光分析 (TXRF) | |
---|---|---|
目的 | 用于測量超痕量元素表面污染的 1E7 原子/cm2 檢測限繪圖速度 提高約 3 倍 | |
技術 | 集成自動 VPD 準備、三光束激發(fā)和自動光學交換 | |
主要部件 | 3 探測器配置 高功率 W 對陰極 X 射線源(9 kW 旋轉(zhuǎn)對陰極) 針對輕元素、過渡元素和重元素優(yōu)化的 3 種激發(fā)能量 XYθ 樣品臺 雙 FOUP 負載端口 | |
特征 | 全晶圓測繪 (SWEEPING-TXRF) 零邊緣排除 (ZEE-TXRF) 用于硅晶圓的集成自動 VPD 預處理 (VPD-TXRF) 雙 FOUP 裝載端口,實現(xiàn)最高靈敏度 | |
選項 | 背面分析 (BAC-TXRF) GEM300 軟件、E84/OHT 支持 氣相處理以提高靈敏度,同時保留空間信息 (VPT-TXRF) 用于親水晶圓表面(例如 SiC)的 VPD | |
機身尺寸 | 1280(寬)x 3750(深)x 2040(高) (不含監(jiān)視器和信號塔) | |
測量結(jié)果 | 定量結(jié)果、光譜圖、彩色等高線圖、映射表 |
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