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半導體設(shè)備TXRF 310Fab理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 半導體設(shè)備理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 采用轉(zhuǎn)子式高輸出X射線發(fā)生器和新設(shè)計的入射X射線單色儀。 使用直接TXRF測量方法實現(xiàn)了10 8 原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實現(xiàn)相同的精度和高通量，測量時間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。
半導體設(shè)備TXRF 3760理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 半導體設(shè)備理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 采用轉(zhuǎn)子式高輸出X射線發(fā)生器和新設(shè)計的入射X射線單色儀。 使用直接TXRF測量方法實現(xiàn)了10 8 原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實現(xiàn)相同的精度和高通量，測量時間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。
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